原材料（ポリシリコン）を単結晶シリコンインゴットに加工するために、チョクラルスキー法（CZ法）と呼ばれるインゴット成長法を採用しています。高純度のポリシリコンを石英坩堝の中で溶解させ、ごく微量のホウ素またはリンを添加した後、種結晶を溶液に接触させながら回転させ、ゆっくりと引上げます。こうして長さ約1～1.8m、直径6または8インチの単結晶シリコンインゴットが製造されます。

・太陽電池用シリコン単結晶インゴット
・ダミー・ターゲット用シリコン単結晶インゴット
・スパッタリング・冶具用シリコン多結晶インゴット